igbt是什么

igbt是什么

1、IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

2、IGBT综合了两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

igbt是什么电源

IGBT作为电压控制型开关器件，IGBT的开关由栅极的电压控制。大家都知道栅极电压升高，IGBT导通，栅极电压低，IGBT关断。但是使用的时候还是很容易忽略栅极导通电压的高低对IGBT导通特性的影响。

　　IGBT和MOS管一样，N沟道IGBT的导通依靠栅极吸引P型半导体的电子形成N沟道达到导通的效果，只是IGBT把这个导通效果进行了放大以达到大电流开关的目的。也就是说只要栅极的电压越高，N沟道的电子也就越多，IGBT的通流能力越大。作为典型的大功率开关器件，为了提高电流控制能力，IGBT要求导通的时候栅极电压越大越好。但是由于工艺的限制，一般的IGBT栅极耐压只能做到20V。为了驱动的安全，大部分的IGBT厂家将IGBT的标准导通电压设定为了15V。

igbt干什么用

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。

IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的功能。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,

IGBT中文名称是什么

IGBT是什么？IGBT的英文全称为：Insulated Gate Bipolar Transistor，中文为：绝缘栅双极型晶体管，它是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

什么叫IGBT

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

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